La deposición física de vapor es simulada para substratos planos a partir de dos modelos de gases reticulares (clase de autómata celular). Con base en esta modelización se obtiene características topológicas del crecimiento del substracto simulado y se comparan, en particular, los resultados de rugosidad media de ambos modelos bajo distintas densidades de partículas. Los resultados expuestos intentan mostrar la potencialidad de esta clase de modelos y su utilidad en la simulación de problemas, con un número elevado de grados de libertad, a las cuales se debe enfrentar la nanotecnología, especialmente en el transporte y en el autoensamblaje de partículas.
