Los Semiconductores policristalinos Materiales Que una Menudo Presentan Propiedades Eléctricas inusuales. En el Modelo en sí supone Que Los Cristales estan Formados porción material semiconductor, el grano es SI, el Cual no está RODEADO materiales porción Altamente desordenado y resistivo, la frontera de grano. La frontera de grano perturba la periodicidad Estructural del cristal Dando origen a ESTADOS Electrónicos localizados en el interior de la brecha de Energía prohibida. La Existencia de ESTOS ESTADOS favorece el atrapamiento de Carga en las fronteras de grano y al doblamiento de las bandas de Energía. Este doblamiento sí caracteriza Por Un potencial de barrera y Una zona de Carga espacial, Las Cuales gobiernan el Transporte electrónico a Través de la frontera de grano. El Modelo utiliza Las teorías de Difusión Y derivados, De Portadores De Emisión termoiónica e INCLUYE ADEMÁS, la Teoría de tunelamiento cuántico de Portadores un Través de la barrera de potencial. Dado Que la Estructura de las Películas Delgadas de trióxido de Molibdeno (MoO3) obtenidas porción atomización pirolítica es de pisos granular y de no molestar nanométrico, el Modelo analítico Explica el Comportamiento de la Característica Corriente - Voltaje (IV) De Las Películas.
