En la primera parte de este artículo se estudiaron los métodos convencionales de integración de inductores de RF. Se justificó el límite de sus prestaciones en tecnologías como la CMOS estándar o la SOI y se analizaron otras alternativas como los inductores activos y los híbridos. Esta segunda parte se dedica a las técnicas de integración MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) y se describen algunos ejemplos representativos.
