Este artículo describe la próxima generación de MOSFET planares, diodos Schottky con estructura Trench y Trench MOSFET basados en carburo de silicio (SiC). En primer lugar, los MOSFET planares de SiC desarrollados han eliminado la degradación de los diodos de unión PN parásitos icluso si la corriente directa penetra en los diodos de unión PN. En segundo lugar, los diodos Trench Schottky de SiC de nuevo desarrollo, han demostrado con éxito una tensión directa más baja que los diodos convencionales de SiC al tiempo que mantienen la corriente de fuga en un nivel aceptable. En tercer lugar, los MOSFET de SiC desarrollados con doble estructura Trench han mejorado la fiabilidad del dilspositivo y mantienen una resitencia en conducción (on-resisteance) extremadamente baja debido a que la nueva estructura reduce de manera eficaz el mayor camo eléctrico existente en la bae de la puerta, previniendo así la ruptura de la puerta.
