La disponibilidad de nueva electrónica de potencia basada en semiconductores comercialmente viables con una amplia banda prohibida (band gap) , como los dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) sobre silicio (Si) fabricados en planta de producción de silicio, ofrece la relación entre prestaciones y coste necesaria para disminuir la barrera económica con el fin de permitir la adopción de arquitecturas para el suministro eficiente energía que reduzca su consumo global durante las próximas décadas.
