Detalles del Artículo
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Título Artículo Transistores MOSFET de potenciaArtículo de Revista
Parte de Mundo Electrónico
N.313-315 (Oct-Dic 2000)
Pagina(s) 101-106
Autor(es) Lorenzi, Sergio (Autor)
Idioma Español;
Resumen Por su sencillomanejo y elevada velocidad de conmutación, entre otros motivos, los tranjsistores MOSFET se han afianzado en la gran mayoria de las aplicaciones de potencia. Los MOSFET, si bien con la creciente competencia de los IGBT. El segmento del automóvil es uno de los que brindan más oportunidades a estos dispositivos.