En este artículo se hace una puesta al día de los dispositivos que actualmente juegan un papel más relevante en el área de la alta velocidad: los HEMT de InP y los HBT de InP y SiGe. Se justifican las causas de su superioridad (la alta movilidad de los electrones en el fosfuro de indio y las reducidas dimensiones que permite la tecnología de silicio), y se hacen previsiones de futuro.
