Con la creciente popularidad de la arquitectura de bus intermedio (IBA) en los sistemas de alimentación para telecomunicaciones, que permite reducir el coste del sistema e incrementar la eficiencia del sistema, los valores de la tensión de ruptura del MOSFET se están alargando simultáneamente para optimizar el rendimiento RDS(on)/coste. Este artículo analizará las características del MOSFET que han destacado entre los convertidores CC/CC y de punto de carga (POL) disponibles comercialmente.
