Detalles del Artículo
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Sig. >
 
Título Artículo MOSFET de recuperación rápidaArtículo de Revista
Parte de Mundo Electrónico
N. 384-387(Mar-Jun.2007)
Pagina(s) 58-82
Autor(es) Harper, Jon (Autor)
Idioma Español;
Resumen La combinación de las excelentes características del diodo intrínseco y las elevadas características dV/dt de los MOSFET de recuperación rápida hacen que sean muy apropiados para aplicaciones de rectificación síncrona. Este artículo estudia por qué estos componentes son beneficiosos e incluso a veces necesarios en dichas aplicaciones
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